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實現5G流動性:Western Digital Corporation最新UFS 3.0 嵌入式快閃記憶體

Western Digital Corporation (NASDAQ: WDC)最新嵌入式快閃記憶體在速度和容量方面更好地優化超高端智能手機及流動設備的功能,從而豐富在5G時代智能手機用戶的流動體驗。 iNAND® MC EU511採用公司先進的96層3D NAND技術,支持通用快閃記憶體儲存 (UFS) 3.0 Gear 4/2 Lane規範。性能優越的第6代iNAND SmartSLC可實現高達750MB/s的渦輪序列寫入速度,僅需3.6秒就可下載一部長達2小時的電影[1]

5G的標準模式可為所有的流動和邊緣裝置帶來超快的傳輸速度、低延遲、低耗量和高網絡容量等優勢。但這些功能需要高速數據接口,如UFS 3.0,不僅可以改變智能手機,還可以改造數十億互聯物聯網( IoT )設備。

Western Digital Corporation裝置事業部門高級總監Oded Sagee表示:「智能手機逐漸成為萬物互聯的中心。高速5G網絡旨在實現快於之前100倍的數據傳輸速度並在更多的設備上部署人工智能(AI)。人工智能(AI)由集成式神經處理單元(NPU)所驅動,允許我們瀏覽大數據和快速數據,這將改變我們使用智能手機的方式。面對實時邊緣計算的高需求,嚴格的數據捕獲標準和瀏覽模式將成為5G設備必須滿足的基本條件。憑藉UFS 3.0嵌入式快閃記憶體,Western Digital可以讓用戶隨時隨地且無縫地體驗5G應用的新威力。」

5G流動設備借助UFS 3.0快閃接口,為擴增實境(AR)、虛擬現實(VR)和手機遊戲等應用提供更高的性能和更低的延遲。此外,快速的網絡將使消費者能夠在流動設備上快速下載和查看超高解像度照片和4K/ 8K媒體資源。

通過iNAND MC EU511  嵌入式快閃記憶體為構建5G設備做好準備

iNAND MC EU511嵌入式快閃記憶體憑藉快於上一代產品兩倍的循序讀寫性能以及高達750MB/s高速循序寫入性能而領先業界。隨著隨機讀/寫性能的提高和容量從64GB到512GB的提升,iNAND MC EU511嵌入式快閃記憶體已為即將到來的5G革命做好了準備。Western Digital Corporation正在與各OEM合作,送樣測試iNAND MC EU511嵌入式快閃記憶體解決方案。欲了解更多相關資訊息,請瀏覽:Western Digital

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